特許
J-GLOBAL ID：200903021297356200

半導体装置及びその製造方法

発明者：
深谷 修大

深谷 修大 について

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新谷 俊幸

新谷 俊幸 について

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長谷部 一

長谷部 一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430092
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191240
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 半導体装置の実装信頼性の向上を図る。【解決手段】 半導体装置のリードは、樹脂封止体の主面と前記主面とは反対側の裏面との間に位置する第1の面と、前記第1の面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出する第2の面と、半導体チップ側に位置する第1の先端面と、前記第1の先端面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の側面から露出する第2の先端面と、前記第2の面から前記第1の面側に窪み、かつ前記第2の先端面に連なる凹部とを有し、 前記第2の面及び前記凹部の内壁面は、前記リードの第2の先端面よりも半田濡れ性が高いメッキ層で覆われている。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、前記主面に配置された複数の電極とを有する半導体チップと、 前記半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数のリードと、 前記半導体チップ、前記複数のリードを封止する樹脂封止体とを有し、 前記複数のリードは、前記樹脂封止体の主面と、前記主面とは反対側の裏面との間に位置する第1の面と、 前記第1の面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出する第2の面と、 前記半導体チップ側に位置する第1の先端面と、 前記第1の先端面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の側面から露出する第2の先端面と、 前記第2の面から前記第1の面側に窪み、かつ前記第2の先端面に連なる凹部とを有し、 前記第2の面及び前記凹部の内壁面は、前記リードの前記第2の先端面よりも半田濡れ性が高いメッキ層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/50
FI (3件)：
H01L23/28 A ,  H01L21/56 T ,  H01L23/50 R
Fターム (24件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DD12 ,  5F067AA01 ,  5F067AA13 ,  5F067AB04 ,  5F067BA02 ,  5F067BC07 ,  5F067BC13 ,  5F067BD05 ,  5F067BD10 ,  5F067BE10 ,  5F067DA17 ,  5F067DC12 ,  5F067DC13 ,  5F067DE14 ,  5F067DF16 ,  5F067DF20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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