半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194873
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032903
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】レーザ光を用いたダイシング工程を行う際に発生する、カーフ幅やピッチングを抑制する。【解決手段】ウェハプロセス終了後の積層体15に対してダイシング工程を行うに当たり、その前処理として、ダイシング領域20のシリコン基板12上に形成されている、TEGの構成部分である、レーザ光を透過させ難い電極パッド16bをはじめシリコン酸化膜14bやパッシベーション膜18bを除去するための第1の研削工程を行っておく。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

加工対象物を、該加工対象物の切断されるべき線に沿って複数個に切断するに当たり、前記加工対象物の表面を研削する第1の研削工程と、前記第1の研削工程によって露出された前記加工対象物の表面にレーザ光を照射して、前記切断されるべき線に沿って該加工対象物を切断するダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (3件)：

H01L21/78 B , H01L21/78 L , H01L21/78 Q

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭52-149478
レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-067276 出願人：浜松ホトニクス株式会社
特開昭52-141178

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