特許

J-GLOBAL ID：200903021316742990

プラズマ化学気相成長法に基づく多層薄膜構造の製造方法

発明者： ヒュン・ジュン・パク ,  ジ-ウェオン・ジョン
出願人/特許権者： エルジー・ケム・リミテッド
代理人 (2件)： 棚井 澄雄 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-107219
公開番号（公開出願番号）：特開2007-284791
出願日： 2007年04月16日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】プラズマ化学気相成長(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)工程で基材上に相異なる物性の多層薄膜構造を製造する方法を提供する。【解決手段】プラズマ生成用混合ガスの比率を変化させない状態で、印加されるプラズマ周波数を変更して当該プラズマ周波数のプラズマ組成に対応する薄膜を順次形成する過程を含む構成とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマ化学気相成長(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)工程によって基材上に相異なる物性の多層薄膜構造を製造する方法であって、プラズマ生成用混合ガスの比率を変化させない状態で、 印加されるプラズマ周波数を変更して当該プラズマ周波数のプラズマ組成に対応する薄膜を順次形成する過程を含むことを特徴とする製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/505 ,  G02B 1/11 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C16/505 ,  G02B1/10 A ,  H01L31/04 F

Fターム (18件)：

2K009AA03 ,  2K009BB04 ,  2K009CC02 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA11 ,  4K030JA18 ,  5F051BA14 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3286951号公報
  
• 特許第2820070号公報
  

審査官引用 (3件)

• プラズマ化学気相成長法とその装置及び多層配線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-205592   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-072312   出願人：三菱電機株式会社
• 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065040   出願人：キヤノン株式会社