レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213162
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041244
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】半導体薄膜といった被処理物の結晶性を向上させることができ、あるいは又、結晶性を均一化することができ、しかも高いスループットを達成し得るレーザ処理装置を提供する。【解決手段】レーザ処理装置は、(イ)複数の線状のレーザビームA,Bをパルス状に且つ互いに平行に射出し得るエキシマレーザ装置10、及び、(ロ)被処理物31を載置し、レーザビームA,Bと被処理物31との相対的な位置を、該線状のレーザビームA,Bの長手方向と略直角方向に移動させる移動手段を備えたステージ20を具備し、それぞれのレーザビームA,Bが被処理物31を照射する領域は異なる。

請求項（抜粋）：

(イ)複数の線状のレーザビームをパルス状に且つ互いに平行に射出し得るエキシマレーザ装置、及び、(ロ)被処理物を載置し、レーザビームと被処理物との相対的な位置を、該線状のレーザビームの長手方向と略直角方向に移動させる移動手段を備えたステージ、を具備し、それぞれのレーザビームが被処理物を照射する領域は異なることを特徴とするレーザ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/268 Z , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-214717 出願人：三洋電機株式会社
液晶表示装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-212184 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平3-284831

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