半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大岩増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287971
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148584
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】半導体装置、特に不揮発性半導体記憶装置において、データ消去などの動作速度が早く、製造工程が少なく、精度の良い構造を得る。また、その構造の装置を得るための製造方法を得る。【構成】半導体基板1上にトンネル酸化膜となる第一の絶縁層8を形成し、この第一の絶縁層8上にフローティングゲートとなるアモルファスシリコン層を形成し、これを真空中で熱処理することによって、少なくとも表面を多結晶シリコンに変化させ、表面に凹凸を持つ第一のシリコン層10を形成し、表面積の大きな電極を得、この上に、第二の絶縁層11、コントロールゲートとなる多結晶シリコンから成る第二のシリコン層12を、第二の絶縁層11の上面下面、および第二のシリコン層12の下面の形状を、第一のシリコン層10の粗面化面14の形状に沿って凹凸に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板、この半導体基板の一主面に形成された第一の絶縁層を介して形成されたアモルファスシリコンからなる第一のシリコン層、上記第一のシリコン層上に形成された第二の絶縁層、この第二の絶縁層上に形成された第二のシリコン層から構成され、少なくとも上記第一のシリコン層上面は、アモルファスシリコンを結晶化させ多結晶シリコンとすることで粗面化された構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性半導体記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-329053 出願人：日本電気株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335022 出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
特開平3-272165

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