特許
J-GLOBAL ID：200903021408752496

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者：
西 恒寛

西 恒寛 について

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長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

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金生 剛

金生 剛 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-244664
公開番号（公開出願番号）：特開2003-147023
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：
【要約】【解決手段】 一般式(1)で示される繰り返し単位と、アダマンタン構造又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン構造を含む酸分解性保護基によって保護されたカルボン酸を有する繰り返し単位とを含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1はH又はCH3、R2はH又はC1〜8のアルキル基を示す。R3はCO2R4を示す。R4はC1〜15のアルキル基又は該アルキル基の任意の炭素-炭素結合間に1個又は複数個の酸素原子が挿入された基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、アダマンタン構造又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン構造を含む酸分解性保護基によって保護されたカルボン酸を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。R2は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R3はCO2R4を示す。R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は該アルキル基の任意の炭素-炭素結合間に1個又は複数個の酸素原子が挿入された基を示す。)
IPC (4件)：
C08F220/28 ,  C08F220/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
C08F220/28 ,  C08F220/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (24件)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025FA12 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA11P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (4件)
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