薄膜シリコン・オン・インシュレータ(SOI)プラットフォーム上に集積した多結晶ゲルマニウム・ベースの導波路検出器

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , , , , , , ,
代理人 (8件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 三山勝巳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-501249
公開番号（公開出願番号）：特表2006-522465
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

シリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造体に形成された比較的薄い(すなわちサブミクロンの)シリコン光導波路と共に使用される光検出器は、シリコン光導波路に沿って伝搬する光信号の少なくとも一部分と結合するように配設されたポリゲルマニウムの層を含む。この導波路構造体内に光信号をしっかりと閉じ込めることによって、ポリゲルマニウム検出器へ効果的にエバネセント結合することが可能となる。このシリコン光導波路は任意の所望の形状を取ることができ、ポリゲルマニウム検出器は導波路の一部分を被覆するか、または導波路の端部部分とバット・カップリングされるように形成される。導波路の一部分を被覆する場合、ポリゲルマニウム検出器は、検出器の両端にコンタクトが形成された状態で、光導波路の側面および上面を被覆する「巻き付け」形状を含み得る。

請求項（抜粋）：

シリコン・オン・インシュレータ(SOI)プラットフォームに基づいた光検出器構造体であって、該構造体は、上部主表面を含むシリコン基板と、前記シリコン基板の上部主表面を被覆するように配設され、上部主表面を含んだ埋め込み酸化物層と、前記埋め込み酸化物の上部主表面の少なくとも一部分を被覆するように配設されたサブミクロンの厚さのシリコン光導波路層と、前記シリコン光導波路層の一部分と接するように配設されたポリゲルマニウム検出器層と、前記ポリゲルマニウム検出器層の両側の端子上に配設された1対の電気コンタクトとを備え、前記ポリゲルマニウム検出器層は、前記サブミクロンの厚さのシリコン光導波路層に沿って伝搬する光信号を吸収し、かつ前記1対の電気コンタクトの間で電気的出力信号を生成するのに適したバンド・ギャップを呈する光検出器構造体。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , G02B 6/42 , G02B 6/122

FI (3件)：

H01L31/10 A , G02B6/42 , G02B6/12 B

Fターム (32件)：

2H137AB12 , 2H137AC06 , 2H137BA32 , 2H137BA52 , 2H137BB12 , 2H137BB25 , 2H137CA18B , 2H137CA18F , 2H137CA34 , 2H137CA55 , 2H137CA73 , 2H147AB05 , 2H147AC11 , 2H147BA01 , 2H147BA05 , 2H147EA13C , 2H147EA14A , 2H147EA14B , 5F049MA02 , 5F049MA04 , 5F049MB05 , 5F049NA18 , 5F049NA20 , 5F049NB01 , 5F049QA01 , 5F049QA08 , 5F049QA20 , 5F049RA06 , 5F049SS03 , 5F049SS06 , 5F049SZ20 , 5F049WA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

仮出願第60/459348号

審査官引用 (3件)

赤外線検出素子及び赤外線検出素子を形成するプロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-289930 出願人：エスティーマイクロエレクトロニクスソチエタレスポンサビリタリミテ
SOI光導波路を利用したハイブリッド光集積回路用基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-297369 出願人：韓國電子通信研究院
半導体光検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-249956 出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

"Near-infrared waveguide photodetectors based on polycrystalline Ge on silicon-on-insulator substrat

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