特許
J-GLOBAL ID：200903021458711847
シリコンウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
松山 允之
, 池上 徹真
, 須藤 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-073259
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231429
出願日： 2008年03月21日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】 デバイス活性領域となる表層部が高品質の結晶性と高い応力耐性とを有するシリコンウェーハを提供する。【解決手段】 ステップS1の工程において、アニールウェーハあるいはシリコンエピタキシャルウェーハを作製する。作製に使用される初期のシリコンウェーハは、例えばCZ法により引上げ育成した単結晶シリコニンゴットから製造されたものであり、結晶内の格子間酸素濃度[Oi]が例えば1.0〜1.8×1018atoms/cm3のものである。そして、次のステップS2の工程において、上記ウェーハを酸素含有ガス雰囲気中で等温熱処理しその後に急速降温を施すことによって、ウェーハのDZ層あるいはシリコンエピタキシャル層の表層部に固溶酸素の注入およびその濃度の調節を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
引上げ育成した単結晶シリコンインゴットから形成したシリコンウェーハに対し、還元性ガス雰囲気中、希ガス雰囲気中あるいは還元性ガスと希ガスの混合ガス雰囲気中において少なくとも1100°C〜1300°Cの温度範囲で熱処理し、前記シリコンウェーハの表面にDZ層を形成するとともに前記シリコンウェーハの前記DZ層より内部に所要量のBMDを形成する工程と、
前記DZ層および前記所要量のBMDを有する前記シリコンウェーハに対して、酸素含有ガス雰囲気中の所定温度で等温熱処理し、その後に急速降温して前記DZ層の少なくとも表層部に酸素注入する工程と、
を有し、
前記DZ層の固溶酸素の濃度を調節することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/205
H01L21/322 Y
, H01L21/205
5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045DA57
, 5F045HA16
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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