特許
J-GLOBAL ID：200903048443864421
シリコンウェーハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
中川 周吉
, 中川 裕幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-286114
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322875
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】高温工程によるスリップ発生を完璧に制御し、素子の活性領域には均一且つ充分なDZ及びCOPフリー(free)領域を提供するとともに、バルク領域には高密度のBMDを有するシリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法を提供する 。【解決手段】前面、後面、周囲縁、及び前記前面と後面間の領域を有するシリコンウェーハにおいて、前記ウェーハの前面の表面から所定の深さまで形成されたCOP(Crystal Originated Particle)欠陥のない第1DZと、前記ウェーハの後面の表面から所定の深さまで形成されたCOP欠陥のない第2DZと、前記第1DZと前記第2DZとの間に形成され、BMD(Bulk Micro Defect)の濃度プロファイルがウェーハの前面から後面方向へ一定に維持される分布を有するバルク領域とを含み、前記シリコンウェーハは1E12atoms/cm3乃至1E14atoms/cm3範囲の窒素濃度を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
前面、後面、周囲縁、及び前記前面と後面間の領域を有するシリコンウェーハにおいて、
前記ウェーハの前面の表面から所定の深さまで形成されたCOP(Crystal Originated Particle)欠陥のない第1DZと、
前記ウェーハの後面の表面から所定の深さまで形成されたCOP欠陥のない第2DZと、
前記第1DZと前記第2DZとの間に形成され、BMD(Bulk Micro Defect)の濃度プロファイルがウェーハの前面から後面方向へ一定に維持される分布を有するバルク領域を含み、
前記シリコンウェーハは1E12atoms/cm3 乃至1E14atoms/cm3範囲の窒素濃度を有するシリコンウェーハ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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