面発光半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-130845
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324234
出願日： 2002年05月02日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】素子抵抗が低く温度特性に優れ、安定した構造を有する面発光半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】n型GaAs基板1上に、n型反射多層膜2、n型クラッド層3、活性層4、p型クラッド層5、p型反射多層膜6およびp型キャップ層7からなるエピタキシャル成長層が形成されており、p型キャップ層7からn型クラッド層3におけるエピタキシャル成長層には、光共振エリアArを避け、かつ光共振エリアArの近傍から外側へと複数の溝が形成されており、当該溝内に埋め込まれて、断面が櫛状のp側電極9が形成されている。

請求項（抜粋）：

光共振エリアに発光領域をもつ活性層と、前記活性層を挟む2つの反射多層膜とを有する光共振器を備え、前記光共振器を挟んで前記活性層に電流を注入する2つの電極が形成されている面発光半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の前記電極の一部が、前記光共振器の前記光共振エリアを除く前記光共振エリアの近傍において、前記活性層に近づくように前記光共振器内に埋め込まれて形成されている面発光半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/042 612 , H01S 5/183

FI (2件)：

H01S 5/042 612 , H01S 5/183

Fターム (12件)：

5F073AA61 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA07 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA12 , 5F073DA14 , 5F073DA25 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

短波長縦型空洞表面放射レーザおよび製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-139555 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
面発光型半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-102300 出願人：古河電気工業株式会社
光共振構造
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-514054 出願人：ブリティッシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニー

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