特許

J-GLOBAL ID：200903021500117004

ポリシリコンTFT用合成石英ガラス基板の製造方法

発明者： 河原 貴之 ,  中野 健史
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 荒井 潤
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-079531
公開番号（公開出願番号）：特開2005-263569
出願日： 2004年03月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】 ポリッシュ工程において基板端面からの不純物の発生を抑えるとともに、合成石英ガラスに対して溶解力を持つ薬液(HF溶液等)で洗浄しても端面から不純物が溶出して基板の表面に付着することを抑えたポリシリコンTFT用合成石英ガラスの製造方法を提供する。【解決手段】 ラッピング工程とポリッシュ工程からなる多段研磨により形成されるポリシリコンTFT用合成石英ガラス基板の製造方法において、前記ポリッシュ工程は複数の研磨工程からなり、該ポリッシュ工程の最終の研磨工程の直前、かつ、前記基板にエッチングを施した後に前記基板の端面に鏡面加工を施す。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ラッピング工程とポリッシュ工程からなる多段研磨により形成されるポリシリコンTFT用合成石英ガラス基板の製造方法において、 前記ポリッシュ工程は複数の研磨工程からなり、 該ポリッシュ工程の最終の研磨工程の直前、かつ、前記基板にエッチングを施した後に、前記基板の端面に鏡面加工を施すことを特徴とするポリシリコンTFT用合成石英ガラス基板の製造方法。

IPC (5件)：

C03C19/00 ,  B24B37/04 ,  C03C15/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

FI (5件)：

C03C19/00 Z ,  B24B37/04 Z ,  C03C15/00 B ,  H01L21/02 Z ,  H01L29/78 626C

Fターム (17件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058CA06 ,  4G059AA08 ,  4G059AB03 ,  4G059AC30 ,  4G059BB04 ,  4G059BB14 ,  4G059EA05 ,  4G059EB01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-100851   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• 鏡面ウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-332989   出願人：信越半導体株式会社, 直江津電子工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 情報記録媒体用ガラス基板の研磨方法、及び該方法により研磨された情報記録媒体用ガラス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-313481   出願人：日本板硝子株式会社
• 合成石英ガラス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-397079   出願人：旭硝子株式会社
• 特開平2-204345