特許
J-GLOBAL ID：200903021525331779

炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法

発明者：
原田 真

原田 真 について

, 
増田 健良

増田 健良 について

, 
和田 圭司

和田 圭司 について

, 
津守 将斗

津守 将斗 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297088
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158933
出願日： 2008年11月20日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】チャネル移動度のような電気的特性の優れた炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置1は、面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板2と、半導体層(図1のp型層4)と絶縁膜(図1の酸化膜8)とを備える。半導体層(p型層4)は基板2上に形成され、炭化ケイ素からなる。絶縁膜(酸化膜8)は、半導体層(p型層4)の表面に接触するように形成されている。半導体層と絶縁膜との界面(チャネル領域と酸化膜8との界面)から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値が1×1021cm-3以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板と、 前記基板上に形成され、炭化ケイ素からなる半導体層と、 前記半導体層の表面に接触するように形成された絶縁膜とを備え、 前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値が1×1021cm-3以上である、炭化ケイ素半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/318
FI (13件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301Q ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652E ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/265 Z ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 B ,  H01L27/04 C ,  H01L21/324 Z ,  H01L21/318 C
Fターム (59件)：
5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA00 ,  5F140AA05 ,  5F140AA30 ,  5F140AB09 ,  5F140AC23 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB13 ,  5F140BB16 ,  5F140BC05 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF51 ,  5F140BG02 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ26 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK17 ,  5F140BK21 ,  5F140CE02 ,  5F152LL02 ,  5F152MM04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN27 ,  5F152NP02 ,  5F152NQ02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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