特許
J-GLOBAL ID：200903045501017107

水素環境中のアニールにより炭化珪素層上に酸化物層を作製する方法

発明者：
ロリ エイ.リプキン

ロリ エイ.リプキン について

, 
ムリナル カンティ ダス

ムリナル カンティ ダス について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-581576
公開番号（公開出願番号）：特表2004-532522
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
炭化珪素層の上に窒化酸化物層を作製し、窒化酸化物層を水素含有環境中でアニールすることによって炭化珪素構造が作製される。その窒化酸化物層の作製は、酸化窒素および亜酸化窒素の少なくとも1つの中で酸化物を形成し、および/または酸化窒素および亜酸化窒素の少なくとも1つの中で酸化物層をアニールすることによって提供することができる。別法として、窒化酸化物層は、その上に窒化物層を作製する窒化酸化物層を提供するために、酸化物層を作製しその酸化物層の上に窒化物層を作製することによって提供することができる。さらに、酸化物層のアニールは、別のステップとしておよび/または窒化物層の作製または接触アニールの実施など他のステップと実質上同時に行うことができる。水素環境は純粋な水素、他のガスと混合した水素、および/または水素前躯体から得てもよい。400°C以上のアニール温度が好ましい。
請求項（抜粋）：
炭化珪素電子デバイス中に絶縁体を形成する方法であって、 炭化珪素層の上に窒化酸化物層を作製するステップと、 水素を含む環境中で前記窒化酸化物層をアニールするステップとを含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L21/318 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L21/318 C ,  H01L29/78 301B
Fターム (14件)：
5F058BB10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF56 ,  5F058BF61 ,  5F058BH02 ,  5F140AA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE17
引用特許：
審査官引用 (15件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052396   出願人：工業技術院長, 新エネルギー・産業技術総合開発機構
  • 特開平4-245635
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288811   出願人：富士通株式会社
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引用文献：
審査官引用 (7件)
  • Electrical characteristics of NO nitrided SiO2 grown on p-type 4H-SiC
  • J.P.Xu, P.T.Lai, C.L.Chan, B.Li, and Y.C.Cheng
  • Interface properties of N2O-annealed SiC metal oxide semiconductor devices
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