特許
J-GLOBAL ID:200903021570319356
微細配線埋め込み用銅メッキ液及びそれを用いた銅メッキ方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田中 大輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-344200
公開番号(公開出願番号):特開2003-105584
出願日: 2001年11月09日
公開日(公表日): 2003年04月09日
要約:
【要約】【課題】 サブμmレベルの間隙を有する微細配線加工が施され、シード金属膜として銅が被覆されたウェハー表面を被メッキ面として、シード金属膜の溶解を抑制し、極小間隙内を銅により欠陥無く埋め込みメッキ処理ができる銅メッキ液を提供する。【解決手段】 硫酸銅を硫酸銅五水和物として100〜300g/Lと、硫酸を5〜300g/L、塩素を20〜200mg/Lと、電析反応を抑制する高分子界面活性剤を0.05〜20g/Lと、電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物を1〜100mg/Lと、高分子アミン化合物からなるレベリング剤を0.01〜10mg/Lと、銅メッキ液の安定化を図るための還元剤を0.025〜25g/Lとを含有することを特徴とするものとした。
請求項(抜粋):
硫酸銅を硫酸銅五水和物として100〜300g/Lと、硫酸を5〜300g/L、塩素を20〜200mg/Lと、電析反応を抑制する高分子界面活性剤を0.05〜20g/Lと、電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物を1〜100mg/Lと、高分子アミン化合物からなるレベリング剤を0.01〜10mg/Lと、銅メッキ液の安定化を図るための還元剤を0.025〜25g/Lとを含有することを特徴とする微細配線埋め込み用銅メッキ液。
IPC (4件):
C25D 3/38 101
, C25D 7/12
, H01L 21/28 301
, H01L 21/288
FI (4件):
C25D 3/38 101
, C25D 7/12
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 21/288 E
Fターム (27件):
4K023AA04
, 4K023AA19
, 4K023BA06
, 4K023CA09
, 4K023CB03
, 4K023CB04
, 4K023CB05
, 4K023CB07
, 4K023CB13
, 4K023CB32
, 4K023CB36
, 4K023DA06
, 4K023DA07
, 4K023DA08
, 4K024AA09
, 4K024AB01
, 4K024BA09
, 4K024BB12
, 4K024BC10
, 4K024CA04
, 4K024CA06
, 4K024CB21
, 4K024CB24
, 4K024GA16
, 4M104BB04
, 4M104DD52
, 4M104HH20
引用特許: