特許
J-GLOBAL ID：200903021585682082
シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325986
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134515
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 BMD密度を増加させると同時に、DZ層幅をも拡張することのできる熱処理方法を提供し、高BMD密度を有するにもかかわらず、従来に比べて広いDZ層幅を有するシリコンウェーハを提供する。【解決手段】 格子間酸素を含有するシリコンウェーハに対して急速加熱・急速冷却装置による熱処理(RTA処理)を行うことにより、ウェーハ表面から原子空孔を注入してウェーハの深さ方向における原子空孔濃度の最大位置をウェーハ表面近傍に形成した後、該ウェーハ表面近傍に形成された原子空孔濃度の最大位置をウェーハ内部に移動させる熱処理(ポストアニール)を行なうようにした。
請求項（抜粋）：
格子間酸素を含有するシリコンウェーハに対して急速加熱・急速冷却装置による熱処理(RTA処理)を行うことにより、ウェーハ表面から原子空孔を注入してウェーハの深さ方向における原子空孔濃度の最大位置をウェーハ表面近傍に形成した後、該ウェーハ表面近傍に形成された原子空孔濃度の最大位置をウェーハ内部に移動させる熱処理(ポストアニール)を行なうことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, C30B 29/06
, H01L 21/26
H01L 21/322 Y
, C30B 29/06 B
, H01L 21/26 F
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077FE12
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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