特許
J-GLOBAL ID：200903021638602485
三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000681
公開番号（公開出願番号）：特開2002-245928
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 低電圧電界放出物質のカーボンナノチューブを利用した電界放出アレイの製造方法を提供する。【解決手段】 背面露光法による三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法を提供して別のマスク層を使用せずに工程上に製造される薄膜層自体をマスク層として使用することによって少数のマスク層を使用して三極管構造のカーボンナノチューブ電界放出アレイを容易に製造できる。
請求項（抜粋）：
三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法において、(a) 透明電極を成膜した透明基板上部に導電性薄膜層を形成するとともに、上記透明電極の所定部位を露出させる段階と、(b) 上記透明電極の露出した所定部位に不透明薄膜層を形成する段階と、(c) 上記透明基板上面部を絶縁物質で全面被覆し、上記導電性薄膜層及び上記不透明薄膜層上面部の絶縁物質を除去して絶縁層を形成する段階と、(d) 上記絶縁層上部にゲート層を形成する段階と、(e) 上記不透明薄膜層を除去した後、上記露出した透明電極上部にカーボンナノチューブチップを形成する段階とよりなることを特徴とする三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法。
引用特許：
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