半導体スイッチ回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252898
公開番号（公開出願番号）：特開平9-098078
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】正電圧単一電源方式に適合した小面積の高周波用半導体スイッチ回路をノーマリ・オン型のFETで実現する。【解決手段】第1及び第2のFET3,4を設ける。両FET3,4は、-2Vのしきい値電圧を有するノーマリ・オン型GaAs-MESFETである。第1のFET3は、キャパシタ5を介して入力端子1に接続されたドレインと、キャパシタ6を介して出力端子2に接続されたソースと、抵抗8を介して第1の制御端子11に接続されたゲートとを有する。第2のFET4は、第1のFET3のドレインに共通接続されたドレインと、キャパシタ7を介してアースに接続されたソースと、抵抗9を介して第2の制御端子12に接続されたゲートとを有する。高周波信号を伝達させる場合には第1及び第2の制御端子11,12に+5V、0Vを、該伝達を阻止する場合には第1及び第2の制御端子11,12に0V、+5Vをそれぞれ印加する。

請求項（抜粋）：

負のしきい値電圧を有し、かつ第1のキャパシタを介して入力端子に接続されたドレインと、第2のキャパシタを介して出力端子に接続されたソースと、第1の制御端子に接続されたゲートとを有する第1の電界効果トランジスタと、負のしきい値電圧を有し、かつ前記第1の電界効果トランジスタのドレインに共通接続されたドレインと、第3のキャパシタを介してアースに接続されたソースと、第2の制御端子に接続されたゲートとを有する第2の電界効果トランジスタとを備え、前記第1の電界効果トランジスタがオンし、かつ前記第2の電界効果トランジスタがオフして、前記入力端子から前記出力端子へ高周波信号が伝達されるように、前記第1及び第2の電界効果トランジスタのしきい値電圧の絶対値より大きい絶対値を有する正の電圧が前記第1の制御端子に、前記アースの電圧が前記第2の制御端子にそれぞれ印加され、前記第1の電界効果トランジスタがオフし、かつ前記第2の電界効果トランジスタがオンして、前記入力端子から前記出力端子への高周波信号の伝達が阻止されるように、前記アースの電圧が前記第1の制御端子に、前記第1及び第2の電界効果トランジスタのしきい値電圧の絶対値より大きい絶対値を有する正の電圧が前記第2の制御端子にそれぞれ印加されることを特徴とする半導体スイッチ回路。

IPC (2件)：

H03K 17/687 , H03K 17/693

FI (2件)：

H03K 17/687 G , H03K 17/693 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-093033 出願人：三洋電機株式会社
マイクロ波スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-257358 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-015885 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

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