特許
J-GLOBAL ID：200903021668911580
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258331
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091428
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 本発明は埋め込み配線による多層配線構造を有する半導体装置に関し、複数の配線層の間で良好な導通状態を確保すること目的とする。【解決手段】 導電性材料で下部配線12を形成する。導電性材料で上部配線38を形成する。下部配線12と上部配線38との間に絶縁層14,16,18を設ける。絶縁層14,16,18を貫いて下部配線12と上部配線38とを導通状態とすると共に、上部配線38側に、下部配線12側に比して大きな断面積を有する接続部36を設ける。
請求項（抜粋）：
導電性材料で構成される第1の配線と、導電性材料で構成される第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線との間に介在する絶縁層と、前記絶縁層を貫いて前記第1の配線と前記第2の配線とを導通状態とすると共に、前記第2の配線側に、前記第1の配線側に比して大きな断面積を有する接続部と、を備えることを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 21/90 A
, H01L 21/90 C
, H01L 21/90 W
5F033AA02
, 5F033AA04
, 5F033AA05
, 5F033AA12
, 5F033AA14
, 5F033AA15
, 5F033AA19
, 5F033AA28
, 5F033AA29
, 5F033AA52
, 5F033AA64
, 5F033BA17
, 5F033DA04
, 5F033DA28
, 5F033EA03
, 5F033EA25
, 5F033EA28
, 5F033EA33
, 5F033FA03
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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