特許

J-GLOBAL ID：200903021705945066

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 渡邉 大志 ,  伊藤 潤 ,  浅見 慎也 ,  柴田 直樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323231
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084000
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【目的】 短波長の光を放出するのに適した構成のIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【構成】 InGaN層の両側をAlGaN層で挟んでなる部分を有する発光層を採用し、井戸層となるInGaN層の膜厚、成長速度、成長温度を制御し、バリア層となるAlGaN層の膜厚を制御してこれらの最適化を図り、発光素子の出力を向上させる。

請求項（抜粋）：

360〜550nmの波長の光を放出するIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、InGaN層の両側をAlGaN層で挟んでなる部分を有する発光層を備える、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343

Fターム (22件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-215147   出願人：富士通株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276453   出願人：豊田合成株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-180165   出願人：豊田合成株式会社