特許
J-GLOBAL ID：200903021743989875
固体撮像素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241058
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082932
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【目的】 高感度で安定した固体撮像素子を実現するため、高電界を印加した場合における素子の耐久性を大幅に向上させた固体撮像素子を提供する。【構成】 光電荷を転送する走査素子を集積化した走査用半導体集積回路基板101の上部に、当該光電荷を発生しかつ増倍させる光電変換膜103および透明電極膜104が形成され、当該透明電極膜に電圧を印加するためのリード線105が有効光電変換領域外107で透明電極膜に接続され、有効光電変換領域外107は、有効光電変換領域106の光電変換膜にアバランシェブレイクダウン電圧を印加しても、破損しないように高耐電圧化される。
請求項（抜粋）：
信号読み出し電極を有する走査回路基板上に、入射光に応じた光電荷を発生する光電変換膜と光電変換膜に電圧を印加するための上部電極膜とが順次積層されて形成され、入射光の受光領域である有効光電変換領域とそれ以外の領域とから構成される固体撮像素子であって、前記上部電極膜に電圧を印加することにより、前記光電変換膜内で電荷増倍現象を発生させて感度を向上させた固体撮像素子において、前記上部電極膜に印加される電圧により前記有効光電変換領域外の部分で絶縁破壊が起きる絶縁破壊電圧を、前記上部電極膜に印加される電圧により前記有効光電変換領域内の光電変換膜で電荷増倍現象が発生するアバランシェブレイクダウン電圧よりも大きくしたことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 31/107
, H04N 5/335
H01L 27/14 E
, H04N 5/335 U
, H01L 31/10 B
