特許
J-GLOBAL ID：200903021756969997
レーザ加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
, 柴山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-282065
公開番号（公開出願番号）：特開2009-106977
出願日： 2007年10月30日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】 GaAs基板を備える板状の加工対象物に対し、切断の起点としての機能が高い改質領域を形成することができるレーザ加工法を提供する。【解決手段】 31ns〜54nsのパルス幅で且つ7.5μm〜10μmのパルスピッチで、パルスレーザ光であるレーザ光Lを照射することにより、切断の起点となる改質領域7を切断予定ライン5に沿ってGaAs基板12に形成する。これにより、切断予定ライン5に沿ってGaAs基板12に形成された改質領域7は、加工対象物1の厚さ方向に亀裂を発生させ易いものとなる。従って、GaAs基板12を備える板状の加工対象物1に対し、切断の起点としての機能が極めて高い改質領域7を形成することができる。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
GaAs基板を備える板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記GaAs基板に形成するレーザ加工方法であって、
前記レーザ光はパルスレーザ光であり、前記レーザ光のパルス幅は31ns〜54nsであることを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (4件)：
B23K 26/38
, B23K 26/40
, B23K 26/06
, B23K 26/00
B23K26/38 320
, B23K26/40
, B23K26/06 A
, B23K26/00 D
4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CA03
, 4E068CD01
, 4E068DA10
