窒化物系半導体素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高島一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-400017
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166728
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 GaN系半導体ウエハをチップへと分断するための新たな方法を、GaN系素子の製造方法に対して提供すること。【解決手段】ウエハー基板1の一方の面1a上に、分断後にGaN系素子として機能する素子部を形成し、ウエハー基板1の裏面1bの側または上面1aの側から、該基板の内部に集光点を合わせてレーザ光Lを照射し、分断予定ライン3に沿ってウエハー基板1の内部に、分断に利用可能な改質領域4を形成し、その後、ウエハー基板の他方の面を研削および/または研磨してその厚さを薄くし、先の領域4を利用してチップへと分断する。改質領域4は、基板を研削・研磨しても、除去されない深さに形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(A)ウエハー基板の一方の面上に窒化物系半導体からなる積層構造部を形成し、分断後に素子となる部位に個々の素子に必要な構造を付与する工程と、 (B)ウエハー基板の一方の面側または他方の面側から、該ウエハー基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、下記(C)の工程の後もウエハー基板として残存する部分の内部に、分断に利用可能な改質領域を分断予定ラインに沿って形成する工程と、 (C)上記(A)、(B)の工程よりも後に、ウエハー基板の他方の面を研削および/または研磨してその厚さを薄くする工程とを、有することを特徴とする、窒化物系半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/301 , B23K26/00 , H01S3/00

FI (4件)：

H01L21/78 B , B23K26/00 320E , H01S3/00 B , H01L21/78 V

Fターム (10件)：

4E068AD00 , 4E068AE00 , 4E068DA10 , 5F072AB02 , 5F072MM09 , 5F072QQ02 , 5F072RR01 , 5F072RR05 , 5F072SS06 , 5F072YY06

引用特許：

出願人引用 (5件)

特許第2780618号公報
レーザ割断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-172163 出願人：日本碍子株式会社
窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-328665 出願人：日亜化学工業株式会社

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審査官引用 (6件)

レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-067406 出願人：浜松ホトニクス株式会社
窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-328665 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平4-111800

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