特許
J-GLOBAL ID：200903021762608556

ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板

発明者：
中尾 吉宏

中尾 吉宏 について

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鈴木 晋一

鈴木 晋一 について

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永江 謙一

永江 謙一 について

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東 昌彦

東 昌彦 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-261743
公開番号（公開出願番号）：特開2002-068832
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】高熱膨張ガラスセラミック焼結体と同時焼成が可能であり、高誘電率、低tanδを有するガラスセラミック焼結体と、有機樹脂を絶縁材料とするプリント基板への実装信頼性に優れ、かつコンデンサを内蔵した配線基板を得る。【解決手段】40〜400°Cにおける熱膨張係数が6〜18×10-6/°Cのガラス成分50〜70体積%と、フィラー成分30〜50体積%とからなり、該フィラー成分としてa)チタン酸ランタンと、b)チタン酸マグネシウムと、c)チタン酸塩と、d)ジルコニウム含有酸化物とを含み、40〜400°Cにおける熱膨張係数が8×10-6/°C以上、1MHz〜3GHzにおける比誘電率が14以上、1MHz〜3GHzにおけるtanδが25×10-4以下のガラスセラミック焼結体を多層配線基板の内層として少なくとも1層1b使用し、該層の上下面にメタライズ電極3を形成することにより多層配線基板1にコンデンサを内蔵させる。
請求項（抜粋）：
ガラス成分50〜70体積%と、フィラー成分30〜50体積%とからなり、該フィラー成分としてa)チタン酸ランタンと、b)チタン酸マグネシウムと、c)チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムおよびチタニアの群から選ばれる少なくとも1種と、d)ジルコニウム含有酸化物から選ばれる少なくとも1種と、を含み、40〜400°Cにおける熱膨張係数が8×10-6/°C以上、1MHz〜3GHzにおける比誘電率が14以上であり、かつ1MHz〜3GHzにおけるtanδが25×10-4以下であることを特徴とするガラスセラミック焼結体。
IPC (5件)：
C04B 35/46 ,  H01L 23/13 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/46
FI (6件)：
C04B 35/46 C ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 1/16 D ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 C
Fターム (42件)：
4E351AA07 ,  4E351BB01 ,  4E351BB03 ,  4E351BB24 ,  4E351BB31 ,  4E351CC12 ,  4E351CC22 ,  4E351CC31 ,  4E351DD05 ,  4E351DD43 ,  4E351DD47 ,  4E351GG06 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031BA09 ,  4G031BA12 ,  4G031BA21 ,  4G031CA03 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA23 ,  5E346AA25 ,  5E346AA38 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB20 ,  5E346CC18 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346GG03 ,  5E346HH01 ,  5E346HH21 ,  5E346HH32
引用特許：
審査官引用 (3件)

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