特許
J-GLOBAL ID:200903021769617968
基板処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-002115
公開番号(公開出願番号):特開平9-190980
出願日: 1996年01月10日
公開日(公表日): 1997年07月22日
要約:
【要約】【課題】 原料ガスの不完全反応による生成物の付着を防止し、生産性の極めて高い基板処理装置を提供する。【解決手段】 気密な反応容器の内部に基板保持手段を回転可能に設ける。この基板保持手段を回転させるための回転駆動手段を設ける。基板保持手段に保持された基板を加熱するための基板加熱手段を設ける。基板表面に原料ガスを供給するためのガス供給手段を設ける。反応容器の内部に基板を搬送するために反応容器に基板搬送口を設ける。この基板搬送口の下端が、基板保持手段に保持された基板の表面よりも上方に位置している。
請求項(抜粋):
気密な反応容器と、この反応容器の内部に回転可能に設けられた基板保持手段と、この基板保持手段を回転させるための回転駆動手段と、前記基板保持手段に保持された基板を加熱するための基板加熱手段と、基板表面に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記反応容器の内部に基板を搬送するために前記反応容器に設けられた基板搬送口とを備え、前記基板搬送口の下端が前記基板保持手段に保持された基板の表面よりも上方に位置していることを特徴とする基板処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C30B 25/14
, C30B 29/06 504
, H01L 21/285
FI (5件):
H01L 21/205
, C23C 16/44 F
, C30B 25/14
, C30B 29/06 504 C
, H01L 21/285 C
引用特許:
審査官引用 (12件)
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特開昭58-143835
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特開昭59-117108
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半導体基板の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-079638
出願人:新日本製鐵株式会社
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気相成長方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-314414
出願人:東芝機械株式会社
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特開平3-270126
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プラズマ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-044718
出願人:東京エレクトロン山梨株式会社
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プラズマCVD装置及びその場クリーニング後処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-070911
出願人:アネルバ株式会社
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特開昭63-138723
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特開昭58-143835
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特開昭59-117108
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特開平3-270126
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特開昭63-138723
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