半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061036
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256254
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、金属配線間に絶縁膜を埋め込むようにしてなる半導体装置において、絶縁膜の埋め込み特性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、Siウェーハ11上のアルミ配線12,12間にSiO2 膜13を埋め込む場合、高密度バイアス印加プラズマCVD装置によるSiO2 膜13の成膜前に、スパッタによりアルミ配線12,12の上部角部を斜めに除去する。この後、SiO2 膜13の成膜を行って、アルミ配線12,12間をSiO2 膜13により埋め込む。この場合、アルミ配線12,12間の溝口部が広く開口されて、狭いアルミ配線12,12間へもSiO2 膜13を充分に埋め込むことができるとともに、アルミ配線12,12間の容量を小さく抑えることが可能な構成とされている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に設けられ、その上部角部が除去された複数の金属配線と、少なくとも、前記金属配線間に埋め込まれた絶縁膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-166739
特開昭64-035931
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-161461 出願人：松下電子工業株式会社

全件表示

前のページに戻る