特許
J-GLOBAL ID：200903021816343812

エッチング除去方法および装置と洗浄方法および装置

発明者：
山▲崎▼ 進也

山▲崎▼ 進也 について

, 
青木 秀充

青木 秀充 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068898
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269178
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 ウェハのエッジに付着した金属膜,汚染金属を除去または洗浄する装置を提供する。【解決手段】 ウェハ10を回転しつつ保持するウェハ保持機構と、ウェハ表面中央に純水を供給する表面ノズル14と、ウェハ表面周辺にエッチング液または洗浄液を供給するエッジノズル18と、ウェハ裏面中央にエッチング液または洗浄液を供給する裏面ノズル16とを備えている。
請求項（抜粋）：
ウェハ上の不所望な金属膜をエッチング除去する装置において、ウェハを保持して回転させる手段と、デバイス形成領域外のウェハ表面周辺に存在する不所望な金属膜を除去するためのエッチング液をウェハ表面周辺に噴出する1つ以上のエッジノズルと、ウェハ裏面中央にエッチング液を噴出する1つの裏面ノズルを、備えることを特徴とするエッチング除去装置。
IPC (9件)：
H01L 21/306 ,  B08B 3/02 ,  B08B 3/08 ,  C23F 1/08 103 ,  C23F 1/18 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/308
FI (11件)：
H01L 21/306 R ,  B08B 3/02 B ,  B08B 3/08 A ,  C23F 1/08 103 ,  C23F 1/18 ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/308 F ,  H01L 21/308 Z ,  H01L 21/306 F
Fターム (29件)：
3B201AA03 ,  3B201AB08 ,  3B201AB34 ,  3B201AB42 ,  3B201BB24 ,  3B201BB25 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CB12 ,  4K057WA01 ,  4K057WA11 ,  4K057WB04 ,  4K057WD10 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WE07 ,  4K057WE25 ,  4K057WM06 ,  4K057WM10 ,  4K057WN01 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043BB27 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE35 ,  5F043GG02
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体基板の塗布膜除去装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233400   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体基板の表面処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214422   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 特開平2-309638
全件表示
審査官引用 (13件)
  • 半導体基板の表面処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214422   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 半導体基板の塗布膜除去装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233400   出願人：ソニー株式会社
  • 特開昭62-264626
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM