特許
J-GLOBAL ID：200903021828761555

半導体装置の製造方法

発明者：
貝塚 健志

貝塚 健志 について

, 
神力 博

神力 博 について


出願人/特許権者：
川崎製鉄株式会社

川崎製鉄株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-081194
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279558
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 バリア性が良好で配線の高信頼性を併せ持つチタンナイトライド膜を、アルミニウムの融点以下の温度で成膜し、しかも塩素濃度を低くできる方法を提供する。【構成】 CVD 法によってチタンナイトライド膜を所望の膜厚となるように堆積した後、水素、窒素およびアンモニアの少なくも1種のガスを含む雰囲気中でプラズマ照射処理を行ってこれらガスのラジカルを生成させ、このラジカルによってチタンナイトライド膜中に残留する塩素の濃度を低減させる。このチタンナイトライド膜の堆積とプラズマ処理とを繰り返して所望の膜厚のチタンナイトライド膜を得ることもできる。
請求項（抜粋）：
チタンナイトライド膜を含む金属配線を有する半導体装置を製造するに当たり、前記チタンナイトライド膜を所望の膜厚となるまで化学気相成長法によって堆積する成膜工程と、続いて水素、窒素、アンモニアの内の少なくとも1つを含む雰囲気中において生成されるラジカルで処理してチタンナイトライド膜中に残留する塩素濃度を低減させる後処理工程とを具えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M
引用特許：
審査官引用 (3件)

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