特許
J-GLOBAL ID：200903021901373755
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-064322
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273872
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】処理のスループットを向上させた半導体製造装置を提供する。【解決手段】容器内に配置されその表面に膜を有する半導体ウェハをこの容器内に発生させたプラズマを用いてエッチング処理する半導体製造装置であって、前記処理の所定の間前記ウェハ表面から得られる少なくとも2つの波長についての光の量の変化を検出する検出器と、前記2つの波長のうち一方の波長の光についての量が極大値となる時刻と他方の波長の光についての量が極小値となる時刻との時間と所定の値とを比較して前記エッチング処理の状態を判定する機能と、を備えた。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
容器内に配置されその表面に膜を有する半導体ウエハをこの容器内に発生させたプラズマを用いてエッチング処理する半導体製造装置であって、
前記処理の所定の間前記ウエハ表面から得られる少なくとも2つの波長についての光の量の変化を検出する検出器と、前記2つの波長のうち一方の波長の光についての量が極大値となる時刻と他方の波長の光についての量が極小値となる時刻との時間と所定の値とを比較して前記エッチング処理の状態を判定する機能と、を備えた半導体製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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