特許
J-GLOBAL ID：200903021947155523
半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-266894
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081118
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】水平放射角のばらつきを抑えることができ、キンク特性を向上させることができる半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】赤色半導体レーザ素子は、n型AlGaInP下クラッド層4、GaInP/AlGaInP多重量子井戸活性層5およびGaInPエッチングストップ層7を備えている。GaInPエッチングストップ層7上には、p型AlGaInP第2上クラッド層8を含むリッジ17が形成されている。GaInPエッチングストップ層7は、リッジ17の近傍領域に存在する一方、リッジ17からその近傍領域よりも離れた離隔領域に存在しない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層上の半導体層の上にエッチングストップ層を形成する工程と、
上記エッチングストップ層上に半導体多層膜を形成する工程と、
上記半導体多層膜の一部と上記エッチングストップ層の一部とをドライエッチングで除去して、上記半導体層の一部を露出させる工程と、
上記ドライエッチング後に残っている上記半導体多層膜をウェットエッチングして、上記ウェットエッチング後に残っている上記半導体多層膜により、上記エッチングストップ層上にリッジを形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F173AA05
, 5F173AG05
, 5F173AH08
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP35
, 5F173AP36
, 5F173AP43
, 5F173AR53
