特許
J-GLOBAL ID：200903048388773578

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者：
阪田 昌彦

阪田 昌彦 について

, 
角田 篤勇

角田 篤勇 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-169102
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069154
出願日： 2002年06月10日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 工程を追加することなくリッジ側部の空洞形成を制御し、リッジ幅を厳密に調整することによって、良好な素子特性を有するリッジストライプ型半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 電流狭窄部である半導体層をエッチングしてリッジを形成する工程において、ドライエッチングとウェットエッチングとを併用して等方性エッチングであるウェットエッチングの時間を短縮し、リッジ部のサイドエッチング量を調整する。これにより、リッジ側面が略垂直な形状のリッジを形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層を順次積層して形成された発光用積層部と、該第2導電型クラッド層上に形成されたエッチングストップ層と、該エッチングストップ層上に形成された半導体層とを有し、該半導体層がストライプ状のリッジに形成されている半導体レーザ素子において、該リッジ側面が該活性層表面となす角度が90±20 ゚であることを特徴とするリッジストライプ型半導体レーザ素子。
IPC (4件)：
H01S 5/223 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3065 ,  H01S 5/343
FI (4件)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/306 S
Fターム (21件)：
5F004AA06 ,  5F004BA14 ,  5F004DA13 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB19 ,  5F004EA10 ,  5F043AA16 ,  5F043BB06 ,  5F073AA11 ,  5F073AA22 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA22 ,  5F073DA26 ,  5F073EA15 ,  5F073EA16 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (10件)
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