半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-393078
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198614
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】リッジ部の幅を低減することなく、横モードの安定化を可能とし、選択成長法によらずに形成することのできるリッジストライプ構造の半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板21上に設けられたバッファ層22と、このバッファ層上に設けられた下クラッド層23と、この下クラッド層上に設けられた活性層24と、この活性層上に設けられ、リッジ部26を形成する上クラッド層25と、リッジ部の上クラッド層上に設けられたコンタクト層27と、リッジ部上面を除く上クラッド層上に設けられ、屈折率が3.4〜3.55の半導体層40とを備えた構成とする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に設けられたバッファ層と、このバッファ層上に設けられた下クラッド層と、この下クラッド層上に設けられた活性層と、この活性層上に設けられ、リッジ部を形成する上クラッド層と、上記リッジ部の上クラッド層上に設けられたコンタクト層と、上記リッジ部上面を除く上記上クラッド層上に設けられ、屈折率が3.4〜3.55の半導体層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/22 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 5/22 , H01S 5/343

Fターム (12件)：

5F073AA13 , 5F073AA51 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073BA05 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA25 , 5F073EA18

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193875 出願人：シャープ株式会社
特開平2-106085
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-021449 出願人：シャープ株式会社

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