下部電極及びそれを利用した光学素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241611
公開番号（公開出願番号）：特開2003-015098
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：

【要約】【課題】基板に製膜された下部電極上に、電気光学効果を有する物質をヘテロエピタキシャル成長させるのに好適な金属電極と、それを利用した低電圧で効率よく動作する光学素子を提供する。【解決手段】光学素子10は、Al2O3の組成を有する六方晶のサファイア基板12上に、パルスレーザデポジション法によって形成したルテニウム下部電極14,その上にヘテロエピタキシャル形成した電気光学効果物質であるニオブ酸リチウム薄膜16,金属材料による上部電極20,を順に積層した構造をとっている。前記ニオブ酸リチウム薄膜16には、光導波路18が形成されている。このニオブ酸リチウム薄膜16を上下電極で挟み込む積層構造とすることにより、矢印で示した電気力線に見られるように、印加電界がニオブ酸リチウム薄膜16内を通過して効果的に作用する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、電気光学効果を有する物質に電界を印加するための下部電極であって、ルテニウム薄膜によって形成したことを特徴とする光学素子の下部電極。

Fターム (12件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA03 , 2H079CA04 , 2H079DA03 , 2H079DA22 , 2H079DA25 , 2H079DA26 , 2H079EA03 , 2H079EA08 , 2H079EB04 , 2H079JA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

強誘電性薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-083465 出願人：株式会社リコー
薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-047661 出願人：富士通株式会社
光変調器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-135228 出願人：工業技術院長

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