特許
J-GLOBAL ID：200903022107306497

薄膜の堆積方法および薄膜

発明者：
ビラージ・サデサイ

ビラージ・サデサイ について

, 
堅田 富夫

堅田 富夫 について

, 
クリストファー・パークス

クリストファー・パークス について

, 
ジョン・ベネディクト

ジョン・ベネディクト について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-106548
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001778
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】膜厚若しくは組成が精密に制御できる積層薄膜の製造法を提供する。【解決手段】2つ以上の材料から成る均一な化合物ターゲット使用し、磁界を周期的に変化させ、ある材料の堆積率を他の材料に対して周期的に増加させる。磁界の変化は、磁界掃引時間を変化させ、堆積層の厚さを変える。この場合層厚は磁界掃引時間に逆比例する。あるいは、磁力を変化させ、スパッター種の相対組成を変化させる。電磁石では、入力電流波形の振幅、すなわち最大電流を調整することによってなされる。
請求項（抜粋）：
磁界を変化させる磁界発生手段を有するマグネトロンスパッタ装置を用いた積層薄膜の堆積方法であって、前記マグネトロンスパッタ装置のカソードに、ターゲットとして2つ以上の元素を含む複合材料を載置する工程と、前記マグネトロンスパッタ装置のアノードに被処理基板を設置する工程と、前記マグネトロンスパッタ装置のチャンバーを真空状態にした後、不活性ガスを封入する工程と、前記カソードに、DC電力およびRF電力のいずれかを印加すると同時に、前記ターゲットの下部より交番磁界を印加し、前記薄膜中の前記2つ以上の元素の構成比を、前記薄膜の膜厚方向に沿って変化させるために、前記交番磁界の周期と強度を制御する工程と、を具備することを特徴とする薄膜の堆積方法。
IPC (2件)：
C23C 14/35 ,  H01L 21/285
FI (2件)：
C23C 14/35 C ,  H01L 21/285 S
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM