光電子変換器及び製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-506164
公開番号（公開出願番号）：特表平11-509687
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：

【要約】本発明による光電子変換器は放射を送信及び/又は受信する半導体デバイス(9)を含み、この半導体デバイス(9)はその放射出射面もしくは入射面(10)が支持板(1)に向くようにこの支持板(1)上に固定されている。支持板(1)は放射を透過させる材料から構成されている。この支持板(1)上にはさらに放射集束手段、例えば集光レンズ(3)又は回折光学素子が配置されている。この光電子変換器は特に反射損失が少なく、取付けが簡単である点で優れている。多数のこのような変換器はユニットとして作られ、引き続いて個別化することができる。

請求項（抜粋）：

放射を送信及び/又は受信する半導体デバイス(9)の放射出射面もしくは入射面(10)が支持板(1)に向くように半導体デバイス(9)が支持板(1)上に固定され、支持板(1)は送信及び/又は受信される放射を透過させ、半導体デバイス(9)によって送信もしくは受信される放射を集束させる放射集束手段(3、27)が設けられている光電子変換器において、放射集束手段(3、27)は支持板(1)と共に一体に形成されていることを特徴とする光電子変換器。

IPC (2件)：

H01L 31/02 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 31/02 B , H01L 33/00 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-201488
半導体発光素子の評価装置及び評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-093752 出願人：三菱電機株式会社
特表平6-503683

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