特許
J-GLOBAL ID：200903022227165846

固体撮像素子及び撮像装置

発明者：
納谷 明彦

納谷 明彦 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-235617
公開番号（公開出願番号）：特開2009-070913
出願日： 2007年09月11日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】光学特性を劣化させることなく、光学的黒レベルの基準信号を精度良く得ることが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板上に配置された多数の光電変換素子51を含む固体撮像素子5であって、多数の光電変換素子51が、被写体からの光に応じた撮像信号を得るための光電変換素子である有効光電変換素子51と、光学的黒レベルの基準信号を得るための光電変換素子であるOB光電変換素子51とを含み、有効光電変換素子51が設けられた領域を有効画素領域57とし、OB光電変換素子51が設けられた領域をOB画素領域56とし、有効画素領域57及びOB画素領域56上方に設けられ、有効光電変換素子51の少なくとも一部の上方に開口Kが形成された遮光膜61を備え、OB光電変換素子51の表面から遮光膜61までの距離L2が、有効光電変換素子51の表面から遮光膜61までの距離L2よりも大きくなっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板内に形成された多数の光電変換素子を含む固体撮像素子であって、 前記多数の光電変換素子が、被写体からの光に応じた撮像信号を得るための光電変換素子である有効光電変換素子と、光学的黒レベルの基準信号を得るための光電変換素子であるOB光電変換素子とを含み、 前記半導体基板の前記有効光電変換素子が設けられた領域を有効画素領域とし、前記半導体基板の前記OB光電変換素子が設けられた領域をOB画素領域とし、 前記有効画素領域及び前記OB画素領域上方に設けられ、前記有効光電変換素子の少なくとも一部の上方に開口が形成された遮光膜を備え、 前記OB光電変換素子の表面から前記遮光膜までの距離が、前記有効光電変換素子の表面から前記遮光膜までの距離よりも大きくなっている固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/14 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L27/14 D ,  H04N5/335 U
Fターム (25件)：
4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DA03 ,  4M118DA18 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GC11 ,  4M118GD03 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX13 ,  5C024GX02 ,  5C024GY01 ,  5C024GZ37 ,  5C024HX02
引用特許：
出願人引用 (3件)

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