特許
J-GLOBAL ID：200903022229939466
半導体力学量センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142100
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335706
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】梁構造の可動部の反りを抑制することができる半導体力学量センサの製造方法を提供する。【構成】シリコン基板17上に犠牲層としてのシリコン酸化膜22を形成するとともにその上に可動部形成用薄膜としてのポリシリコン薄膜24を成膜し、このポリシリコン薄膜24に対し、P(リン)をイオン注入する。この際、加速電圧を変化させて膜厚方向に所定の濃度分布となるようにする。シリコン酸化膜22の除去によりシリコン基板17の上方に所定の間隔を隔てて梁構造の可動部(可動ゲート電極)が配置される。シリコン基板17には固定電極(ソース・ドレイン電極)が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上方において下側に配置された犠牲層の除去により所定の間隔を隔てて配置され、薄膜よりなる梁構造の可動部とを備え、力学量の作用に伴う前記可動部の変位から力学量を検出するようにした半導体力学量センサの製造方法であって、半導体基板上に犠牲層を形成し、その上に可動部形成用薄膜を形成する際または形成後に膜厚方向に所定の濃度分布となるように内部応力調整物質をイオン注入法を用いて導入して前記可動部の反りを抑制するようにしたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/84
, G01L 1/14
, G01L 9/04 101
, G01P 15/12
H01L 29/84 B
, G01L 1/14 A
, G01L 9/04 101
, G01P 15/12
