特許
J-GLOBAL ID：200903022235203250

半導体装置の寿命推定方法および信頼性シミュレーション方法

発明者：
小池 典雄

小池 典雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151446
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347551
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 基板電流の測定が不可能なMOSトランジスタを対象として、ホットキャリア劣化率が最大となる条件での寿命を精度よく推定する寿命推定方法、及び、少数のトランジスタを用いて短期間でホットキャリア寿命パラメータを求めることが可能な回路特性劣化のシミュレーション方法を提供する。【解決手段】 τを寿命、IpをMOSトランジスタの発光の光量強度、Idをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ∝ Ip-m・Idm-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定する。また、tを時間として、MOSトランジスタに対する累積ストレス量を表すパラメータAgeを、Age ∝∫[Ipm・Id2-m]dtの特徴を持ったホットキャリア劣化のシミュレーションモデル式により、信頼性シミュレーションを行う。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタを対象とする寿命推定方法であって、τを寿命、Ipを前記MOSトランジスタの発光の光量強度、Idをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ ∝ Ip-m・Idm-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定することを特徴とする半導体装置の寿命推定方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 29/00 ,  H01L 29/78 624 ,  H01L 29/78 301 Z
Fターム (11件)：
5F110AA25 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F140AA23 ,  5F140AA37 ,  5F140DB04 ,  5F140DB06 ,  5F140DB10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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