特許

J-GLOBAL ID：200903022239436390

圧電素子及びその製造方法

発明者： 内野 研二 ,  ジャオ-ホン ドゥ ,  ウマ ベレグンドゥ ,  川畑 達央 ,  後藤 博史 ,  松本 幹雄
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048951
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233844
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 PZTを用いた圧電素子において、PZTの圧電定数を従来よりさらに大きな値にし、また相境界付近における結晶構造のばらつきに由来する圧電定数のばらつきをなくすことにより、圧電素子の特性を安定かつ良好にする。【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する菱面体晶組成のPZT[例えば、Pb(Zr0.6Ti0.4)]の両面に電極を形成した圧電素子において、PZTの[100]方向、[010]方向又は[001]方向が電極面とほぼ垂直な方向を向くようにPZTを結晶配向させた。

請求項（抜粋）：

PZTと電極を備えた圧電素子であって、前記PZTは、そこに含まれるZrとTiが室温において菱面体晶となる組成比のペロブスカイト構造であって、その[100]方向、[010]方向又は[001]方向が前記電極面にほぼ垂直となるように結晶配向していることを特徴とする圧電素子。

IPC (4件)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-005874
  
• 酸化物強誘電薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-305125   出願人：株式会社ニコン
• 圧電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-137892   出願人：セイコーエプソン株式会社