特許
J-GLOBAL ID：200903022292248066

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
高田 稔秋

高田 稔秋 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209113
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036091
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 基板上の半導体素子から発生する熱を放散させ、半導体素子領域の温度の上昇を抑制し、熱による半導体素子の損傷破壊や、特性の劣化を有効に防止する事が出来る半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 適宜の酸化膜1上に発熱作用を有する半導体素子30が形成されている半導体装置100であって、当該半導体素子30の形成領域若しくはその近傍領域に対向する当該酸化膜1部分の少なくとも一部に放熱溝部10が設けられている半導体装置100。
請求項（抜粋）：
適宜の酸化膜上に発熱作用を有する半導体素子が形成されている半導体装置であって、当該半導体素子の形成領域若しくはその近傍領域に対向する当該酸化膜部分の少なくとも一部に放熱溝部が設けられている事を特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 23/34
FI (3件)：
H01L 29/78 623 Z ,  H01L 23/34 A ,  H01L 29/78 626 C
Fターム (32件)：
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F110AA23 ,  5F110BB02 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110DD30 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG37 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110NN80 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ21
引用特許：
審査官引用 (7件)
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