特許
J-GLOBAL ID：200903088690432900

光弁用半導体装置

発明者：
鷹巣 博昭

鷹巣 博昭 について


出願人/特許権者：
セイコー電子工業株式会社

セイコー電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-095262
公開番号（公開出願番号）：特開平7-301825
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 単結晶シリコン上に不安定動作を防止したトランジスタを形成し、微細な画素サイズを実現する光弁用半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 単結晶シリコン基板上に形成された画素領域と駆動回路を同一チップ内に内蔵した光弁用半導体装置において、画素領域のMOS型スイッチトランジスタの基板領域はMOS型スイッチトランジスタ下面の埋め込み絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して基板電極に接続されており基板領域に所定の電圧を供給できる構造であり、基板電極はMOS型スイッチトランジスタの遮光膜を兼ねており、基板電極は画素領域外に延設され、放熱用領域を形成していることを特徴とする光弁用半導体装置。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板上に形成された画素領域と駆動回路領域とが同一チップ内に内臓した光弁用半導体装置において、該画素領域の基板領域にはMOS型スイッチトランジスタが形成され、該MOS型スイッチトランジスタの下面には絶縁膜と基板電極が積層形成され、該基板領域と該基板電極とは該絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続され、該基板領域に該基板電極より所定の電圧を供給できる構造を有することを特徴とする光弁用半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 ,  H01L 29/786
引用特許：
審査官引用 (6件)
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