特許
J-GLOBAL ID:200903022322132157

DLC膜の成膜方法およびDLC成膜物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-112718
公開番号(公開出願番号):特開2004-323973
出願日: 2004年04月07日
公開日(公表日): 2004年11月18日
要約:
【課題】 基材自体の温度上昇を抑えつつ、低融点合金、銅、真鍮等の基材表面にDLC膜を高密着で厚く且つ均一に成膜する。【解決手段】 プラズマ発生用高周波電源11と高電圧パルス発生用電源12とを重畳装置9に接続し、更に重畳装置9を共通のフィードスルー8を介してチャンバー2内の基材1に接続しておき、前記プラズマ発生用高周波電源11から基材1に高周波パルスを印加し、そのプラズマ中またはアフターグロープラズマ中に高電圧パルス発生用電源12から基材1に負の高電圧パルスを印加する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
少なくとも一以上の炭化水素系ガスを用いて、パルスプラズマによる、イオン注入プロセスと成膜プロセスとを組み合わせた複合プロセスによって、基材表面にDLC膜を成膜することを特徴とする、DLC膜の成膜方法。
IPC (1件):
C23C16/27
FI (1件):
C23C16/27
Fターム (13件):
4K030AA09 ,  4K030BA18 ,  4K030BA28 ,  4K030BA35 ,  4K030CA02 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA08 ,  4K030JA09 ,  4K030JA17 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  4K030LA21
引用特許:
審査官引用 (3件)
引用文献:
前のページに戻る