特許
J-GLOBAL ID：200903074104700984

静電チャックの製造方法

発明者：
増田 眞助

増田 眞助 について

, 
藤井 清利

藤井 清利 について


出願人/特許権者：
アドバンス・セラミックス・インターナショナル コーポレーション

アドバンス・セラミックス・インターナショナル コーポレーション について


代理人 (1件)： ▲桑▼原 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-373918
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246455
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【目的】シリコン半導体、化合物半導体、フラットパネルディスプレイ、ハードディスク、ソーフィルターその他の電子デバイス等の製造プロセスに好適に用いられる静電チャックを提供する。【構成】絶縁基材上に導体電極を所定パターンに形成した被成膜体(6)を、プラズマCVD炉(10)内にて、炭化水素化合物(CxHy)のxが1〜10の範囲にあり且つyが2〜22の範囲にあるものをプラズマ放電によりイオン化した後250μsec以下のアフターグロータイム内に-1kV〜-20kVのパルス電圧を印加することにより炭化水素イオンを絶縁基材およびその上の導体電極表面に加速衝突させて、108〜1013Ω・cmの範囲の電気抵抗率を有する非晶質炭素(DLC)を主成分とする被膜層を導体電極表面に被覆形成して静電チャックを製造する。
請求項（抜粋）：
絶縁基材上に導体電極を所定パターンに形成し、プラズマCVD炉内にて、炭化水素化合物(CxHy)のxが1〜10の範囲にあり且つyが2〜22の範囲にあるものをプラズマ放電によりイオン化した後所定のパルス電圧を印加することにより炭化水素イオンを絶縁基材およびその上の導体電極表面に加速衝突させて、108〜1013Ω・cmの範囲の電気抵抗率を有する非晶質炭素を主成分とする被膜層を導体電極表面に被覆形成することを特徴とする静電チャックの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  H02N 13/00
FI (2件)：
H01L 21/68 R ,  H02N 13/00 D
Fターム (6件)：
5F031CA01 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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