特許
J-GLOBAL ID：200903022340783890

半導体ウェーハおよびその加工方法

発明者：
木崎 清貴

木崎 清貴 について

, 
山中 聡

山中 聡 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 末成 幹生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-143466
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300521
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】裏面研削後の半導体ウェーハの裏面に貼着した接着フィルムが表面に貼着されている保護テープに接触することを確実に防止して、保護テープを円滑に剥離可能とする。【解決手段】表面に保護テープ10が貼着され、裏面研削されたウェーハ1の裏面に貼着するダイボンディング用の接着フィルム20の大きさを、ウェーハ1の面取り部2の内側の平坦部5に対応する領域と同等として、その領域のみに接着フィルム20を貼着する。接着フィルム20がウェーハ1の周縁からはみ出さない構成として、接着フィルムが保護テープ10と接触することを防止し、保護テープ10を表面から円滑に剥離できるようにする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数の半導体デバイスが形成された表面の平坦部の周縁に面取り部が形成されており、裏面に円形状の接着フィルムが貼着される円盤状の半導体ウェーハであって、 前記接着フィルムは、前記裏面の、前記平坦部に対応する領域のみに貼着されていることを特徴とする半導体ウェーハ。
IPC (4件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/683 ,  H01L 21/52
FI (5件)：
H01L21/78 M ,  H01L21/304 622J ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/68 N ,  H01L21/52 G
Fターム (12件)：
5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031DA15 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031HA78 ,  5F031MA22 ,  5F031MA37 ,  5F031MA38 ,  5F031PA26 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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