特許
J-GLOBAL ID:200903022364362462

光半導体装置及び形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-326236
公開番号(公開出願番号):特開2001-144334
出願日: 1999年11月17日
公開日(公表日): 2001年05月25日
要約:
【要約】【課題】 LEDダイ実装時の不良が生じにくい光半導体装置及びその形成方法を提供する。【解決手段】 正及び負のリード電極2、3と成形樹脂10とから形成されてなるパッケージ1と、正及び負のダイ電極5、6が一つの主面側に共に形成されてなる光半導体ダイ4とを備え、該光半導体ダイ4が導電性接着部材7、8を介して上記リード電極上にフリップチップ実装された光半導体装置であって、上記パッケージ1は、上記リード電極の正極2と負極3の間に凹部9を有し、該凹部9の少なくとも一部が上記光半導体ダイ4と対向する位置に形成されている。
請求項(抜粋):
正及び負のリード電極と成形樹脂とから形成されてなるパッケージと、正及び負のダイ電極が一つの主面側に共に形成されてなる光半導体ダイとを備え、該光半導体ダイが導電性接着部材を介して上記リード電極上にフリップチップ実装された光半導体装置であって、上記パッケージは、上記リード電極の正極と負極の間に凹部を有し、該凹部の少なくとも一部が上記光半導体ダイと対向する位置に形成されていることを特徴とする光半導体装置。
Fターム (4件):
5F041AA25 ,  5F041DA09 ,  5F041DA43 ,  5F041DA55
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • LED素子とその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-079909   出願人:日亜化学工業株式会社
  • 半導体発光デバイス
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-034908   出願人:株式会社東芝
  • 光電変換装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-078597   出願人:日亜化学工業株式会社
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