発光ダイオードチップ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-316905
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136427
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】放射出力結合を改善するため及び/又は電磁放射の変換のための素子をすでに有し、それゆえ特に発光素子の小型化を可能にする発光ダイオードチップを提示する。【解決手段】エピタキシャル成長させた半導体層列を有する半導体を備えた発光ダイオードチップにおいて、発光ダイオードが放射を透過させる被覆体を有しており、該被覆体が発光ダイオードチップの放射方向において放射出力結合面に後置されており、かつ放射出力結合面の方を向いた第1の主平面、放射出力結合面とは逆の方を向いた第2の主平面、及び第1の主平面と第2の主平面とを接合する側面を有しており、放射出力結合面と被覆体との間に接合層が配置されており、該接合層は被覆体を半導体層列に直接接合及び固定し、接合層が発光変換材を有する少なくとも1つの変換層を含んでいるように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長させた半導体層列を有する半導体を備えた、発光ダイオードチップであって、前記半導体層列が活性層と放射出力結合面とを有しており、前記活性層が発光ダイオードの動作中に電磁放射を発し、該電磁放射の大部分が前記放射出力結合面を介して出力結合される形式の発光ダイオードチップにおいて、前記発光ダイオードは放射を透過させる被覆体を有しており、該被覆体は、前記発光ダイオードチップの放射方向において前記放射出力結合面に後置されており、かつ前記放射出力結合面の方を向いた第1の主平面、前記放射出力結合面とは逆の方を向いた第2の主平面、及び前記第1の主平面と前記第2の主平面とを接合する側面を有しており、前記放射出力結合面と前記被覆体との間に接合層が配置されており、該接合層は前記被覆体を前記半導体層列に直に接合し、前記被覆体を前記半導体層列に固定し、前記接合層は発光変換材を有する少なくとも1つの変換層を含んでいる、ことを特徴とする発光ダイオードチップ。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 M

Fターム (11件)：

5F041AA14 , 5F041AA47 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CB36 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041EE17 , 5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (1件)

WO 01/65613

審査官引用 (5件)

改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-321214 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-293673 出願人：スタンレー電気株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-214527 出願人：株式会社シチズン電子

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