改良された光抽出効果を有する発光ダイオード

発明者： , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321214
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141556
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】発光ダイオードの光抽出効率を高めること。【解決手段】改良された光抽出効率を有する発光デバイスが提供される。発光デバイスは活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する。スタックは、活性領域により放射される光について約1.5より大きく好ましくは約1.8より大きい屈折率を有する透明光学素子に結合される。透明光学素子(例えばレンズまたは光学濃縮器)を発光デバイスに結合させる方法は、光学素子およびスタックの温度を上昇させる工程と、光学素子と発光デバイスとをともに押し付けるために圧力を加える工程とを含む。光学素子材料のブロックについては、発光デバイスに結合させた後、光学素子として形成させることができる。高屈折率の光学素子を発光デバイスに結合させることで、全内部反射に起因する損失を低減させて、発光デバイスの光抽出効率を改良できる。

請求項（抜粋）：

活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する発光デバイスであって、前記スタックに結合される透明な光学素子を具備することを特徴とする発光デバイス。

Fターム (9件)：

5F041AA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041EE17 , 5F041EE23 , 5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (29件)

特開昭53-080988
特開昭50-110291
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-128987 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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