特許
J-GLOBAL ID:200903022375044500

スルー・バイア接続を有する両面SOIウエハ・スケール・パッケージを作製するためのデバイスおよび方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-540633
公開番号(公開出願番号):特表2008-521213
出願日: 2005年11月03日
公開日(公表日): 2008年06月19日
要約:
スルー・バイア接続を有する両面SOIウエハ・スケール・パッケージを作製するためのデバイスおよび方法を提供する。半導体パッケージは、集積回路システムを含む第一の面と、第一の面とは反対側にあり、少なくとも一つの空洞を形成する第二の面とを有するSOIウエハを含む。空洞の中に少なくとも一つのチップまたは構成部品が配置される。導電性スルー・バイアがチップ(単数または複数)を集積回路システムに接続する。
請求項(抜粋):
少なくとも一つの電子構成部品を含む第一の面と、前記第一の面の反対側にあり、空洞を形成する第二の面と、を有するウエハと、 前記空洞の中に配置された少なくとも一つのチップと、 前記少なくとも一つのチップを、前記ウエハの一部を通して前記少なくとも一つの電子構成部品に接続するスルー・バイアと、 を含む半導体パッケージ。
IPC (1件):
H01L 23/14
FI (1件):
H01L23/14 S
引用特許:
審査官引用 (6件)
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