特許
J-GLOBAL ID：200903095896011916

半導体装置

発明者：
生田 貴紀

生田 貴紀 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284503
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子による発熱を良好に放散させ、高信頼性・高性能であり、低背化が可能で薄型・小型な半導体装置を提供する。【解決手段】 配線基板2の主面上に導体バンプ3を介して搭載実装され、前記主面に対して略垂直方向に貫通孔4aが形成された半導体素子4と、半導体素子4の配線基板2と反対側に配置され、半導体素子4側に設けた凸部5aが貫通孔4aに挿入された放熱部材5とを具備する半導体装置である。凸部5aと平板状部5bとにより半導体素子4の発熱を良好に放散させることができる。
請求項（抜粋）：
配線基板の主面上に導体バンプを介して搭載実装され、前記主面に対して略垂直方向に貫通孔が形成された半導体素子と、該半導体素子の前記配線基板と反対側に配置され、前記半導体素子側に設けた凸部が前記貫通孔に挿入された放熱部材とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 23/36 Z ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 L
Fターム (5件)：
5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • パッケージの実装構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-172645   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-321784   出願人：日本電気株式会社
  • 放熱構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-287687   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立コンピュータエレクトロニクス

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