半導体受光装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-162416
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339413
出願日： 2005年06月02日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】例えばメサ型APDのようなメサ構造を有する半導体受光装置において、エッジブレークダウンが発生しないようにして、信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板1上に形成された第1導電型の第1半導体層2上に形成され、光を吸収する光吸収層3と、電界強度を降下させる電界降下層4と、アバランシェ増倍を生じさせるアバランシェ増倍層5と、第2導電型の第2半導体層6とを含むメサ構造体7を備え、アバランシェ増倍層5は、メサ構造体7の側面近傍部7Aの厚さがメサ構造体7の中央部7Bの厚さよりも薄くなっている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1導電型の第1半導体層上に形成され、光を吸収する光吸収層と、電界強度を降下させる電界降下層と、アバランシェ増倍を生じさせるアバランシェ増倍層と、第2導電型の第2半導体層とを含むメサ構造体を備え、前記アバランシェ増倍層は、前記メサ構造体の側面近傍部の厚さが前記メサ構造体の中央部の厚さよりも薄くなっていることを特徴とする、半導体受光装置。

IPC (1件)：

H01L 31/107

FI (1件)：

H01L31/10 B

Fターム (18件)：

5F049MA07 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA06 , 5F049NB01 , 5F049PA09 , 5F049PA10 , 5F049QA02 , 5F049QA19 , 5F049QA20 , 5F049SE05 , 5F049SE09 , 5F049SS04 , 5F049SZ01 , 5F049SZ12 , 5F049SZ13 , 5F049SZ16 , 5F049TA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

超格子アバランシェフォトダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-335438 出願人：日本電気株式会社
受光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-157143 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置、半導体装置の製造方法、実装体の製造方法、および実装体
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-006951 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (8件)

特開昭60-234383
特開昭57-093584
アバランシェホトダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-176738 出願人：株式会社日立製作所

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