特許
J-GLOBAL ID：200903022376730157
パタン形成方法および半導体装置の製造方法および感放射線組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164807
公開番号（公開出願番号）：特開2000-352821
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：
【要約】【課題】ArFエキシマレーザの波長193nmを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、膨潤のない解像性能の優れたパタン形成方法を提供する。【解決手段】レジスト膜を構成する感放射線組成物が、化学式(1)で示されるδ-ヒドロキシカルボン酸構造を有する化合物を少なくとも含む。【化1】
請求項（抜粋）：
所定の基板上に感放射線組成物からなる塗膜を形成する工程、上記塗膜に所定パタン状に活性放射線を照射することで上記塗膜中に所望のパタンの潜像を形成する工程、水性アルカリ現像液を用いて上記塗膜中に所望のパタンを現像する工程、からなるパタン形成方法において、上記感放射線組成物が化学式(1)で示されるδ-ヒドロキシカルボン酸構造を少なくとも含む化合物を含有することを特徴とするパタン形成方法。【化1】(ここで、Xはエーテル結合またはエステル結合、Yは少なくとも共役した不飽和結合を持たない炭化水素構造、nは1以上の整数である)
IPC (2件)：
G03F 7/038 505
, H01L 21/027
G03F 7/038 505
, H01L 21/30 515 B
2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025CC01
, 2H025CC20
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 5F046AA07
, 5F046CA04
, 5F046LA12
